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IRFD224_IR/国际整流器_MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP华斯顿科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
IRFD224
- 功能描述:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商
- 企业:
深圳市华斯顿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
- 手机:
13925279453
- 询价:
- 电话:
0755-83777708/83777607/82799993
- 传真:
0755-83355559
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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