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IRF230	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF230	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF230	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF230	文件：151.04 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 200Volt,0.40ΩHEXFET HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryachievesverylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishadvantag	IRF International Rectifier	IRF
IRF230	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF230	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF230	文件：65.75 Kbytes Page：2 Pages	High Power, High Speed Applications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF230	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Mosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF230	文件：22.27 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF230-233	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRF230
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 9A 2PIN TO-204AA - Bulk
功能描述：
MOSFET N TO-3
功能描述：
MOSFET, N, TO-3
功能描述：
Single N-Channel 200 V 75 W 39 nC Hexfet Transistores Through Hole - TO-204AA/AE
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A TO-204AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
9A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
400mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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