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IRF230
厂商型号

IRF230

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

212.01 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-5 8:50:00

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IRF230规格书详情

FEATURES

• Low RDS(on)

• Improved inductive ruggedness

• Fsat switching times

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Low input capacitance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliability

• TO-3 package (Standard)

产品属性

  • 型号:

    IRF230

  • 制造商:

    International Rectifier

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-3

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 200V 9A 2PIN TO-204AA - Bulk

  • 功能描述:

    MOSFET N TO-3

  • 功能描述:

    MOSFET, N, TO-3

  • 功能描述:

    Single N-Channel 200 V 75 W 39 nC Hexfet Transistores Through Hole - TO-204AA/AE

  • 功能描述:

    N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A TO-204AA; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    9A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    200V; On Resistance

  • Rds(on):

    400mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V ;RoHS

  • Compliant:

    No

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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