首页>IRF221>规格书详情

IRF221中文资料三星数据手册PDF规格书

IRF221
厂商型号

IRF221

功能描述

N-CHANNEL POWER MOSFETS

文件大小

209.79 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Samsung semiconductor
企业简称

SAMSUNG三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-25 16:57:00

人工找货

IRF221价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRF221规格书详情

FEATURES

• Low RDs

• Improved inductive ruggedness

• Fast switching times

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Low input capactiance

• Extended safe operating area

• Improved high temperature reliablitiy

• TO-3 package (Standard)

产品属性

  • 型号:

    IRF221

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2016+
TO-220
4558
只做进口原装现货!假一赔十!
询价
IR
25+23+
TO-220
26069
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
IOR
24+
DIP
2987
绝对全新原装现货供应!
询价
IR
24+
TO-3
10000
询价
IR
2015+
TO-3(铁帽)
19889
一级代理原装现货,特价热卖!
询价
IRF223
80
80
询价
Infineon(英飞凌)
24+
TO-204AA(TO-3)
7793
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
IOR
21+
DIP
10000
原装现货假一罚十
询价
IR
25+
TO-3
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
IR
23+
DIP
5000
原装正品,假一罚十
询价