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IRF830	文件：225.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES HigherCurrentRating LowerrDS(ON),LowerCapacitances LowerTotalGateCharge TighterVSD	SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF830	文件：452.89 Kbytes Page：6 Pages	Highcurrent,highspeedswitching Description TheIRF830isanewgenerationofhighvoltageN–ChannelenhancementmodepowerMOSFETsandisobtainedthroughanextremeoptimizationlayoutdesign,inadditionaltopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapability,providesuper	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. Silikron Semiconductor Co.,LTD.	SILIKRON
IRF830	文件：128.55 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Simpledriverequirements •Fastswitching •VDSS=500V;RDS(ON)≤1.5Ω;ID=4.5A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF830	文件：135.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF830	文件：625.73 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMESHMOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYTMprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvaroussources. ●TypicalRDS(on)=1.35Ω ●EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ●100AVALAN	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF830	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF830A	文件：280.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF830A	文件：258.649 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830A	文件：969.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830A	文件：141.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830A	文件：108.59 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830A	文件：3.49044 Mbytes Page：7 Pages	LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •EffectiveCossSpecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSu	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830A	文件：1.17388 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830AL	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830AL	文件：155.1 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)max=1.40ohm,Id=5.0A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgResultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSup	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF830AL	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830ALPBF	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830ALPBF	文件：159.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent •EffectiveCossspecified •Lead(Pb)-freeAvailable APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF830ALPBF	文件：665.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRC830
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博浩通科技有限公司	IRC830	IR	23+	TO-2205-Pin(	8600	全新原装现货	询价
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更多IRC830供应商更新时间2024-6-19 16:30:00

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