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IRF830	文件：670.19 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50W.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. FEATURES •Dynamic	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF830	文件：109.02 Kbytes Page：3 Pages	NCHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS FEATURE NchannelinaplasticTO220package. Theyareintendedforuseinoff-lineswitchedmodepower supplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies. DC-DCconverters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurpose switchingapplications CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
IRF830	文件：384.32 Kbytes Page：7 Pages	4.4A,500V,1.5廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ➤IRF830is500VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltageblockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecove	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF830	文件：122.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,4.5A,450V/500V	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF830	文件：342.55 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF830areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF830	文件：625.73 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMESHMOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYTMprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvaroussources. ●TypicalRDS(on)=1.35Ω ●EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ●100AVALAN	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF830	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF830	文件：128.13 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL500V-1.35W-4.5A-TO-220PowerMESH]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusingthe company’sconsolidatedstriplayout-basedMESH OVERLAY]process.Thistechnologymatches andimprovestheperformancescomparedwith standardpartsfromvarioussources. APPLICATIONS nHIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING nSWITHMODEPOW	SYC SYC Electronica	SYC
IRF830A	文件：141.49 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossspecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier	IRF
IRF830A	文件：108.59 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRC830
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRC830	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRC830	IR	23+	TO-2205-Pin(	8600	全新原装现货	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	IRC830	IR	23+	TO-22O-5L	65480		询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	IRC830	IR	22+	TO-2205-PIN(HEXSENSE	6000	十年配单,只做原装	询价
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