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FDB029N06	文件：511.33 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,193A,3.1mW Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=2.4mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=75A •FastSwitc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IIPP029N06N	文件：337.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA029N06N	文件：260.99 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA029N06N	文件：1.83885 Mbytes Page：11 Pages	Superiorthermalresistance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPI029N06N	文件：637.71 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSTMPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPP029N06N	文件：1.86013 Mbytes Page：12 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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