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FDB029N06中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FDB029N06
厂商型号

FDB029N06

功能描述

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.1mW

文件大小

511.33 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 15:08:00

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FDB029N06规格书详情

描述 Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

特性 Features

• RDS(on) = 2.4mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A

• Fast Switching Speed

• Low Gate Charge

• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)

• High Power and Current Handling Capability

• RoHS Compliant

Application

• DC to DC Convertors / Synchronous Rectification

产品属性

  • 型号:

    FDB029N06

  • 功能描述:

    MOSFET NCH 60V 2.9Mohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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