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IIPP024N06N3	文件：338.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI024N06N3	文件：483.71 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesIdealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •Qualifiedaccordin	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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