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HGT4E30N60B3DS

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bip

文件:214.44 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

HGT4E30N60B3DS

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

ONSEMI

安森美半导体

HGTD1N120BNS9A

SMD

ON/安森美

HGTG30N60A4D

TO-247

FAIRCHILD

仙童半导体

上传:深圳市华康联电子科技有限公司

HGTP5N120BND

TO220

FSC

详细参数

  • 型号:

    HGT4E30N60B3DS

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HGT4E30N60B3DS供应商 更新时间2026-2-9 11:10:00