| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO247 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
376 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-247 |
544 |
10+ |
绝对真实库存 百分百原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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onsemi(安森美)TO-247 |
1224 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
8950 |
2019+全新原装正品 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市华宇金电子有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO-247-3 |
690000 |
24+ |
支持实单/只做原装 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-247 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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FAIRCHILDTO247 |
20 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO247 |
1709 |
21+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FCSTO-2473L |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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HARRISNA |
141 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
5428 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-247 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-247 |
300 |
19+ |
原装现货支持BOM配单服务 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ON/安森美TO-247 |
5590 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
HGTG30N60B3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGTG30N60B3图片
HGTG30N60B3价格
HGTG30N60B3价格：￥13.5954品牌：FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的HGTG30N60B3多少钱，想知道HGTG30N60B3价格是多少？参考价：￥13.5954。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HGTG30N60B3批发价格及采购报价，HGTG30N60B3销售排行榜及行情走势，HGTG30N60B3报价。
HGTG30N60B3中文资料Alldatasheet PDF
更多HGTG30N60B3功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTG30N60B3_NL制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG30N60B3D功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGTG30N60B3D_04制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG30N60B3D_Q功能描述:IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
HGTG30N60B3
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，30A
- 开关能量：
500µJ（开），680µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/137ns
- 测试条件：
480V，30A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 60A 208W TO247
