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HGTD3N60C3S9A	文件：265.06 Kbytes Page：7 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop 文件：265.06 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HGTD3N60C3S9A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HGTG30N60A4D	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市华康联电子科技有限公司（销售一部）	Fairchild
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深圳市旺财半导体有限公司	HGTD3N60C3S9A	Fairchild	23+		33500		询价

更多HGTD3N60C3S9A供应商更新时间2025-12-10 16:30:00