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HGTG30N60C3	文件：99.55 Kbytes Page：6 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT TheHGTG30N60C3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderately	Intersil Intersil Corporation
HGTG30N60C3	文件：300 bytes Page：1 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
HGTG30N60C3D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, PT IGBT HGTG30N60C3D 是一款 MOS 门控高压开关器件，它充分融合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳功能。该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。非常低的通态压降仅在 25°C 到 150°C 之间适度变化。使用的 IGBT 是开发类型 TA49051。反向并联 IGBT 使用的二极管是开发类型 TA49053。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为 TA49014。; •63A, 600V, TC = 25°C\n•典型下降时间： 230ns @ TJ = 150°C\n•短路额定值\n•低导通损耗\n•超快反向并联二极管\n;	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTG30N60C3D	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG30N60C3D	文件：131.12 Kbytes Page：8 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode Description TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarieso	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
HGTG30N60C3D	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation
HGTG30N60C3D	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG30N60C3D_V01	文件：299.66 Kbytes Page：9 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Features •63A,600VatTC=25oC •TypicalFallTime...............230nsatTJ=150oC •ShortCircuitRating •LowConductionLoss •HyperfastAnti-ParallelDiode Packaging JEDECSTYLETO-247	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
HGTG30N60C3D	文件：300 bytes Page：1 Pages	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司
HGTG30N60C3D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 63A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
HGTG30N60C3
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	HGTG30N60C3	Intersil	24+	TO-247	8866		询价
深圳市星佑电子有限公司	HGTG30N60C3	INTERSIL	05+	原厂原装	4402	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD	23+	TO-247	9526		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD	20+	TO-3P	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HGTG30N60C3	HIR	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HGTG30N60C3	INTERSIL	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD/仙童	24+	NA/	12388	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-3P	8400	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HGTG30N60C3	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-3P	8400	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多HGTG30N60C3供应商更新时间2025-8-3 10:50:00

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