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HGTG30N60C3D中文资料600V, PT IGBT数据手册ONSEMI规格书
HGTG30N60C3D规格书详情
描述 Description
HGTG30N60C3D 是一款 MOS 门控高压开关器件，它充分融合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 非常低的通态压降仅在 25°C 到 150°C 之间适度变化。使用的 IGBT 是开发类型 TA49051。 反向并联 IGBT 使用的二极管是开发类型 TA49053。 该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。 以前的开发类型为 TA49014。
特性 Features
•63A, 600V, TC = 25°C
•典型下降时间： 230ns @ TJ = 150°C
•短路额定值
•低导通损耗
•超快反向并联二极管
应用 Application
其他工业
简介
HGTG30N60C3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60C3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTG30N60C3D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，30A
- 开关能量：
1.05mJ（开），2.5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 63A TO247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
26+ |
TO-3P |
59 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
24+ |
NA |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
NA |
986 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
询价 | |||
ON/安森美 |
2022+ |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
8048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
