HGTG30N60C3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

HGTG30N60C3D 是一款 MOS 门控高压开关器件，它充分融合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 非常低的通态压降仅在 25°C 到 150°C 之间适度变化。使用的 IGBT 是开发类型 TA49051。 反向并联 IGBT 使用的二极管是开发类型 TA49053。 该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。 以前的开发类型为 TA49014。

特性 Features

•63A, 600V, TC = 25°C
•典型下降时间： 230ns @ TJ = 150°C
•短路额定值
•低导通损耗
•超快反向并联二极管

应用 Application

其他工业

简介

HGTG30N60C3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60C3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。