HGTG30N60A4数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

HGTG30N60A4 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该 IGBT 非常适合许多工作频率很高，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。该设备已被优化来实现快速开关应用，比如 UPS 和焊机。

特性 Features

•60A, 600V @ TC = 110°C
•低饱和电压：V CE(sat) = 1.8 V，需 I C = 30 A
•典型下降时间。. . . . . . . . . TJ = 125°C时为58ns
•低传导损耗

应用 Application

• 其他工业

简介

HGTG30N60A4属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60A4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。