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HGTG20N60C3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

HGTG20N60C3D

参数属性

HGTG20N60C3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 45A 164W TO247

功能描述

45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封装外壳

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

原厂标识
Renesas
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:21:00

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HGTG20N60C3D规格书详情

描述 Description

The HGTG20N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is development type TA49178. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060 (TA49063).

特性 Features

• 45A, 600V, TC= 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . .  108ns at TJ= 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

技术参数

  • 产品编号:

    HGTG20N60C3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    500µJ(开),500µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/151ns

  • 测试条件:

    480V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 164W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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