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HGTG20N60B3D中文资料40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode数据手册Renesas规格书

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厂商型号

HGTG20N60B3D

参数属性

HGTG20N60B3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 165W TO247

功能描述

40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封装外壳

TO-247-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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HGTG20N60B3D规格书详情

描述 Description

The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25℃ and 150℃. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the
RHRP3060.

特性 Features

• 40A, 600V at TC = 25℃
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150oC
• Short Circuit Rated
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

技术参数

  • 产品编号:

    HGTG20N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    475µJ(开),1.05mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 165W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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