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HGTG20N60B3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGTG20N60B3D |
| 参数属性 | HGTG20N60B3D 封装/外壳为TO-247-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 40A 165W TO247 |
| 功能描述 | 40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | HGTG20N60B3D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG20N60B3D规格书详情
描述 Description
The HGTG20N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25℃ and 150℃. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the
RHRP3060.
特性 Features
• 40A, 600V at TC = 25℃
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at 150oC
• Short Circuit Rated
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
技术参数
- 产品编号：
HGTG20N60B3D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
- 开关能量：
475µJ（开），1.05mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 40A 165W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INTERSIL |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
2018+ |
TO-3P |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
16+ |
TO-247 |
1 |
询价 | |||
Fairchi |
24+ |
TO-247 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
询价 |
