HGTG18N120BN数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	HGTG18N120BN
参数属性	HGTG18N120BN 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247
功能描述	1200 V NPT IGBT IGBT 1200V 54A 390W TO247
封装外壳	TO-247-3
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体安森美半导体公司
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-11 11:26:00
人工找货	HGTG18N120BN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

HGTG18N120BN规格书详情

描述 Description

HGTG18N120BN 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

特性 Features

•26 A、1200 V、TC = 110°C
•低饱和电压： VCE(sat)=2.45 V，需 IC=18 A
•典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140 ns，需 TJ=150°C
•短路额定值
•低导通损耗

应用 Application

不间断电源其他工业

简介

HGTG18N120BN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG18N120BN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

产品编号：
HGTG18N120BN
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，18A
开关能量：
800µJ（开），1.8mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/170ns
测试条件：
960V，18A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 54A 390W TO247

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