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HGTG11N120CND中文资料1200 V NPT IGBT数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
HGTG11N120CND |
参数属性 | HGTG11N120CND 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 |
功能描述 | 1200 V NPT IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 14:36:00 |
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HGTG11N120CND规格书详情
描述 Description
HGTG11N120CND 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
应用 Application
不间断电源
简介
HGTG11N120CND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG11N120CND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTG11N120CND
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,11A
- 开关能量:
950µJ(开),1.3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/180ns
- 测试条件:
960V,11A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
18+ |
TO-3P |
85600 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO247 |
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