首页>HGTG11N120CND>规格书详情

HGTG11N120CND数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

HGTG11N120CND

参数属性

HGTG11N120CND 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

功能描述

1200 V NPT IGBT
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-10 23:01:00

人工找货

HGTG11N120CND价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

HGTG11N120CND规格书详情

描述 Description

HGTG11N120CND 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

应用 Application

不间断电源

简介

HGTG11N120CND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG11N120CND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTG11N120CND

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 开关能量:

    950µJ(开),1.3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/180ns

  • 测试条件:

    960V,11A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-247
928
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
2023+
TO-247
12000
专注全新正品,优势现货供应
询价
FAIRCHILD
2016+
TO-3P
6528
房间原装进口现货假一赔十
询价
FAIRCHIL
23+
TO247
9526
询价
ON/安森美
2047
TO-247-3
9000
原装现货支持BOM配单服务
询价
FSC
23+
TO247
55
原装环保房间现货假一赔十
询价
ON(安森美)
24+
TO-247AC
8276
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ON/安森美
11+
TO-247
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
21+
TO-247(AC)
8080
只做原装,质量保证
询价
F
25+
SOP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价