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HGTG11N120CND中文资料1200 V NPT IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HGTG11N120CND

参数属性

HGTG11N120CND 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

功能描述

1200 V NPT IGBT
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:36:00

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HGTG11N120CND规格书详情

描述 Description

HGTG11N120CND 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

应用 Application

不间断电源

简介

HGTG11N120CND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG11N120CND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTG11N120CND

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 开关能量:

    950µJ(开),1.3mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/180ns

  • 测试条件:

    960V,11A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

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