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HGT4E20N60A4DS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HGT4E20N60A4DS

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:32:00

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技术参数

  • 型号:

    HGT4E20N60A4DS

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 TO-268

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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