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HGT4E20N60A4DS中文资料600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HGT4E20N60A4DS

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 型号:

    HGT4E20N60A4DS

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 TO-268

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INTERSIL
24+
NA/
4750
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
NS
23+
NA
6500
全新原装假一赔十
询价
HIGHGA
24+
NA
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
HAR
25+
QFP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
Intersil
24+
TO-247
8866
询价
TDK
23+
SMD被动器件正迈科技
800000
绕线电感/电容电感磁珠系列样品可出支持批量1304306
询价
Intersil
23+
TO-268
5000
原装正品,假一罚十
询价
INTERSIL
18+
TO-247
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
INTERSIL
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
询价
INTERSIL
23+
TO-263
8400
专注配单,只做原装进口现货
询价