HGT1S7N60C3DS9A数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号	HGT1S7N60C3DS9A
参数属性	HGT1S7N60C3DS9A 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB
功能描述	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
封装外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Renesas Renesas Technology Corp
中文名称	瑞萨瑞萨科技有限公司
原厂标识	Renesas
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-6 11:32:00
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HGT1S7N60C3DS9A规格书详情

描述 Description

The HGTP7N60C3D and HGT1S7N60C3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is developmental type TA49115. The diode used in anti-parallel with the IGBT is developmental type TA49057.
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

特性 Features

• 14A, 600V at TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

技术参数

产品编号：
HGT1S7N60C3DS9A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
开关能量：
165µJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
480V，7A，50欧姆，15V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
描述：
IGBT 600V 14A 60W TO263AB

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