首页>HGT1S20N36G3VL>规格书详情

HGT1S20N36G3VL中文资料IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

HGT1S20N36G3VL

参数属性

HGT1S20N36G3VL 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

功能描述

IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 22:59:00

人工找货

HGT1S20N36G3VL价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

HGT1S20N36G3VL规格书详情

简介

HGT1S20N36G3VL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGT1S20N36G3VL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :HGT1S20N36G3VL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :395V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :37.7A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :1.9V @ 5V,20A

  • 功率 - 最大值

    :150W

  • 开关能量

    :-

  • 输入类型

    :逻辑

  • 栅极电荷

    :28.7nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :-/15µs

  • 测试条件

    :300V,10A,25欧姆,5V

  • 工作温度

    :-40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

  • 供应商器件封装

    :I2PAK(TO-262)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INTERSIL/FAIRCHILD
24+
NA/
6122
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
INTERS
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
FAIRCHIL
24+
TO-262
8866
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
58000
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-263
39197
郑重承诺只做原装进口现货
询价
INTERS
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
FAIRCHIL
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
询价
ON Semiconductor
2022+
I2PAK(TO-262)
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价