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HGT1S20N36G3VL数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGT1S20N36G3VL |
| 参数属性 | HGT1S20N36G3VL 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| 功能描述 | IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 17:11:00 |
| 人工找货 | HGT1S20N36G3VL价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGT1S20N36G3VL规格书详情
简介
HGT1S20N36G3VL属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGT1S20N36G3VL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：HGT1S20N36G3VL
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：395V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：37.7A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：1.9V @ 5V，20A
- 功率 - 最大值
：150W
- 开关能量
：-
- 输入类型
：逻辑
- 栅极电荷
：28.7nC
- 25°C 时 Td（开/关）值
：-/15µs
- 测试条件
：300V，10A，25欧姆，5V
- 工作温度
：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装
：I2PAK（TO-262）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
58000 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
INTERS |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-262 |
32322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
INTERS |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
onsemi |
25+ |
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
INTERSIL |
05+ |
原厂原装 |
7470 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 |
