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HGT1S14N36G3VLS中文资料14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
HGT1S14N36G3VLS |
| 参数属性 | HGT1S14N36G3VLS 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 390V 18A 100W TO263AB |
| 功能描述 | 14A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 15:01:00 |
| 人工找货 | HGT1S14N36G3VLS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGT1S14N36G3VLS规格书详情
简介
HGT1S14N36G3VLS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGT1S14N36G3VLS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGT1S14N36G3VLS
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 5V，14A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/7µs
- 测试条件：
300V，7A，25欧姆，5V
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
- 描述：
IGBT 390V 18A 100W TO263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-263AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO263AB |
8000 |
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询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO263AB |
7000 |
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2169 |
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FAI |
25+23+ |
TO263 |
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TI |
23+ |
NA |
6500 |
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FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
8866 |
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har |
24+ |
500000 |
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23+ |
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