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HGT1N30N60A4D数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

HGT1N30N60A4D

参数属性

HGT1N30N60A4D 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

功能描述

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

封装外壳

SOT-227-4,miniBLOC

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:29:00

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HGT1N30N60A4D规格书详情

简介

HGT1N30N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的HGT1N30N60A4D晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

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  • 产品编号:

    HGT1N30N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    单路

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,30A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商器件封装:

    SOT-227B

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B

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