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HGT1S10N120BNS规格书详情
描述 Description
HGT1S10N120BNST 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
特性 Features
•17 A、1200 V,TC = 110°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 10 A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为140ns
•短路额定值
•低传导损耗
应用 Application
• 不间断电源
技术参数
- 制造商编号
:HGT1S10N120BNS
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- V(BR)CES Typ (V)
:1200
- IC Max (A)
:17
- VCE(sat) Typ (V)
:2.45
- VF Typ (V)
:-
- Eoff Typ (mJ)
:0.8
- Eon Typ (mJ)
:0.32
- Trr Typ (ns)
:-
- Irr Typ (A)
:-
- Gate Charge Typ (nC)
:100
- Short Circuit Withstand (µs)
:8
- EAS Typ (mJ)
:80
- PD Max (W)
:298
- Co-Packaged Diode
:No
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO263AB |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FSC |
12+ |
TO-263 |
158 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
2400 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
19+ |
TO263 |
50 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 |