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HGT1S10N120BNS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

HGT1S10N120BNS

功能描述

IGBT,1200V,NPT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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HGT1S10N120BNS规格书详情

描述 Description

HGT1S10N120BNST 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等,而低传导损耗又至关重要的高压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

特性 Features

•17 A、1200 V,TC = 110°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 10 A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为140ns
•短路额定值
•低传导损耗

应用 Application

• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :HGT1S10N120BNS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :1200

  • IC Max (A)

    :17

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.45

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.8

  • Eon Typ (mJ)

    :0.32

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :100

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :8

  • EAS Typ (mJ)

    :80

  • PD Max (W)

    :298

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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