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HGT1S7N60C3DS中文资料14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes数据手册Renesas规格书

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厂商型号

HGT1S7N60C3DS

参数属性

HGT1S7N60C3DS 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB

功能描述

14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 产品编号:

    HGT1S7N60C3DS

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    165µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    480V,7A,50欧姆,15V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 60W TO263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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