| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-263(D2PAK) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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Fairchild仙童TO-263AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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FAIRCHILDSOT-4239&NBS |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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仙童TO-263 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDSOT |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-263(D2PAK) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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HARRIS原厂原装 |
4320 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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仙童TO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Fairchild/ONTO263AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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PANASONIC/松下TO-251 |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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HARRIS |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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HARRISSMD |
14530 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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HARRIS车规-晶体管 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FSCTO-263(D2 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
HGT1S7N60C3DS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
HGT1S7N60C3DS图片
HGT1S7N60C3DS中文资料Alldatasheet PDF
更多HGT1S7N60C3DS功能描述:IGBT 晶体管 7A 600V TF=275NS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGT1S7N60C3DS9A功能描述:IGBT 晶体管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
HGT1S7N60C3DS
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
- 开关能量：
165µJ（开），600µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
480V，7A，50欧姆，15V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK（TO-263）
- 描述：
IGBT 600V 14A 60W TO263AB
