首页>HGT1S7N60C3D>规格书详情

HGT1S7N60C3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

HGT1S7N60C3D

参数属性

HGT1S7N60C3D 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB

功能描述

14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
IGBT 600V 14A 60W TO263AB

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-16 10:32:00

人工找货

HGT1S7N60C3D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

HGT1S7N60C3D规格书详情

简介

HGT1S7N60C3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGT1S7N60C3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGT1S7N60C3DS9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    165µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    480V,7A,50欧姆,15V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 60W TO263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HARRIS
05+
原厂原装
4340
只做全新原装真实现货供应
询价
Fairchild
23+
33500
询价
FAIRCHILD
24+
TO-263-2
5000
只做原装公司现货
询价
仙童
23+24
TO-263
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
询价
INFINOEN
23+
P-TO220-
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
仙童
TO-263
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
24+
N/A
52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-262(I2PAK)
6000
十年配单,只做原装
询价
FAIRCHILD
24+
SOT-4239&NBS
3200
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3267
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价