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HGT1S2N120CN中文资料IGBT 1200V 13A 104W I2PAK数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
HGT1S2N120CN |
| 参数属性 | HGT1S2N120CN 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK |
| 功能描述 | IGBT 1200V 13A 104W I2PAK |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 22:59:00 |
| 人工找货 | HGT1S2N120CN价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGT1S2N120CN规格书详情
简介
HGT1S2N120CN属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGT1S2N120CN晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：HGT1S2N120CN
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：13A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
：20A
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.4V @ 15V，2.6A
- 功率 - 最大值
：104W
- 开关能量
：96µJ（开），355µJ（关）
- 输入类型
：标准
- 栅极电荷
：30nC
- 25°C 时 Td（开/关）值
：25ns/205ns
- 测试条件
：960V，2.6A，51 欧姆，15V
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装
：TO-262
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1163 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-262 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
TO-262 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-262 |
8866 |
询价 | |||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
86514 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2405+ |
TO-262 |
4475 |
只做原装正品渠道订货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-262 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO262 |
7000 |
询价 |
