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HGT4E20N60A4DS

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode This family of MOS gated high voltage switching devices combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar trans

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FAIRCHILD

仙童半导体

HGT4E20N60A4DS

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

ONSEMI

安森美半导体

HGTD1N120BNS9A

SMD

ON/安森美

HGTG30N60A4D

TO-247

FAIRCHILD

仙童半导体

上传:深圳市华康联电子科技有限公司

HGTP5N120BND

TO220

FSC

详细参数

  • 型号:

    HGT4E20N60A4DS

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 TO-268

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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更多HGT4E20N60A4DS供应商 更新时间2026-2-9 10:34:00