HGTD1N120BNS数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

HGTD1N120BNS9A 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

特性 Features

•2.7 A，1200 V，需 TC = 110°C
•低饱和电压：VCE(sat) = 2.5 V，需 IC = 1.0 A
•典型下降时间...................TJ = 150°C时为258ns
•短路额定值
•低传导损耗

应用 Application

• 不间断电源

简介

HGTD1N120BNS属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD1N120BNS晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。