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HGTD1N120BNS数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

HGTD1N120BNS

参数属性

HGTD1N120BNS 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

功能描述

5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,1A

  • 开关能量:

    70µJ(开),90µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/67ns

  • 测试条件:

    960V,1A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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