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HGTD7N60C3S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
HGTD7N60C3S |
参数属性 | HGTD7N60C3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A TO252AA |
功能描述 | 14A,600V,UFS 系列 N 沟道 IGBT |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 10:50:00 |
人工找货 | HGTD7N60C3S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTD7N60C3S规格书详情
描述 Description
14A,600V,UFS 系列 N 沟道 IGBT
应用 Application
其他工业
简介
HGTD7N60C3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD7N60C3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTD7N60C3S9A
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,7A
- 开关能量:
165µJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 600V 14A TO252AA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHIL |
24+ |
TO-252 |
8866 |
询价 | |||
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23+ |
TO-252 |
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2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
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24+ |
TO-252 |
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INTERSIL |
24+ |
TO-252 |
6000 |
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