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HGTD7N60C3S中文资料14A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
HGTD7N60C3S |
| 参数属性 | HGTD7N60C3S 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A TO252AA |
| 功能描述 | 14A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 13:03:00 |
| 人工找货 | HGTD7N60C3S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTD7N60C3S规格书详情
描述 Description
14A，600V，UFS 系列 N 沟道 IGBT
应用 Application
其他工业
简介
HGTD7N60C3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD7N60C3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTD7N60C3S9A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
- 开关能量：
165µJ（开），600µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 600V 14A TO252AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERSIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
32750 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
FAIRC |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
P-TO220-3-1 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 |
