首页>HGTD7N60C3S>规格书详情

HGTD7N60C3S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

HGTD7N60C3S

参数属性

HGTD7N60C3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A TO252AA

功能描述

14A,600V,UFS 系列 N 沟道 IGBT
IGBT 600V 14A TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 10:50:00

人工找货

HGTD7N60C3S价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

HGTD7N60C3S规格书详情

描述 Description

14A,600V,UFS 系列 N 沟道 IGBT

应用 Application

其他工业

简介

HGTD7N60C3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD7N60C3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTD7N60C3S9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    165µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 14A TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHIL
24+
TO-252
8866
询价
HARRIS
23+
TO-252
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
询价
INTERSIL
2023+
TO-252
50000
原装现货
询价
HARRIS
05+
原厂原装
4760
只做全新原装真实现货供应
询价
Fairchild
23+
33500
询价
ON
23+
TO-252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
23+
P-TO220-3-1
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
INTERSIL
24+
TO-252
6000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
询价
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价