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HGTD3N60C3S中文资料6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
HGTD3N60C3S |
参数属性 | HGTD3N60C3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
功能描述 | 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 15:04:00 |
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HGTD3N60C3S规格书详情
简介
HGTD3N60C3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD3N60C3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTD3N60C3S9A
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,3A
- 开关能量:
85µJ(开),245µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 测试条件:
480V,3A,82 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HARRIS |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
INTERSIL |
23+ |
TO-252TO-251 |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-252AA |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO252AA |
7000 |
询价 | |||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-252 |
8866 |
询价 | |||
INTERSIL |
0018+ |
TO-251-3 |
450 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
INTERSIL |
22+ |
TO-251-3 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
67780 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
FAIRC |
12+ |
TO-252(DPAK) |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
INTERSIL |
23+ |
TO-251-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |