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HGTD3N60C3S中文资料6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HGTD3N60C3S

参数属性

HGTD3N60C3S 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 6A 33W TO252AA

功能描述

6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
IGBT 600V 6A 33W TO252AA

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:04:00

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HGTD3N60C3S规格书详情

简介

HGTD3N60C3S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTD3N60C3S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

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  • 产品编号:

    HGTD3N60C3S9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    85µJ(开),245µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    480V,3A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 6A 33W TO252AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HARRIS
2023+
TO-252
50000
原装现货
询价
INTERSIL
23+
TO-252TO-251
8400
专注配单,只做原装进口现货
询价
ON Semiconductor
2022+
TO-252AA
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
Fairchild/ON
23+
TO252AA
7000
询价
FAIRCHIL
24+
TO-252
8866
询价
INTERSIL
0018+
TO-251-3
450
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INTERSIL
22+
TO-251-3
6000
十年配单,只做原装
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FAIRCHILD/仙童
23+
67780
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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FAIRC
12+
TO-252(DPAK)
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
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INTERSIL
23+
TO-251-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价