HGTD7N60C3S9A_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-安森美半导体

订购数量	价格
1+	¥14.81000

厂家型号：
HGTD7N60C3S9A
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
2186
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-24 17:47:00

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详细信息
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原厂料号：HGTD7N60C3S9A品牌：onsemi

资料说明：IGBT 600V 14A TO252AA

HGTD7N60C3S9A是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的HGTD7N60C3S9A晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
hgtd7n60c3s9a
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
IGBT 600V 14A TO252AA

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTD7N60C3S9A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，7A
开关能量：
165µJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 600V 14A TO252AA

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HGTD7N60C3S9A

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