BIDW50N65T_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-伯恩斯（邦士）

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1+	¥45.74000

厂家型号：
BIDW50N65T
制造商：
BOURNS/伯恩斯（邦士）
库存数量：
2998
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-25 15:00:00

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详细信息
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原厂料号：BIDW50N65T品牌：Bourns Inc.

资料说明：IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

BIDW50N65T是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商BOURNS/伯恩斯（邦士）生产封装TO-247-3的BIDW50N65T晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
bidw50n65t
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
BOURNS【伯恩斯（邦士）】详情
厂商全称：
Bourns Inc.
中文名称：
伯恩斯（邦士）
资料说明：
IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

产品属性

类型
描述
产品编号：
BIDW50N65T
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，50A
开关能量：
3mJ（开）， 1.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/125ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

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