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BIDW50N65T	文件：1.32999 Mbytes Page：10 Pages	BIDW50N65T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW50N65TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BIDW50N65T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
FGW50N65WE	文件：374.45 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=50A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance APPLICATIONS ·SolarConverters ·UninterruptedPowerSupply ·UPS,PFC ·WeldingConverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HMG50N65T	文件：1.24913 Mbytes Page：8 Pages	650V/50ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IGB50N65	文件：355.18 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.7V@IC=50A ·HighSpeedSmoothSwitchingDeviceForHard &SoftSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MIW50N65F	文件：1.07932 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MIW50N65F-BP	文件：1.07932 Mbytes Page：10 Pages	TrenchandFieldStopIGBT650V50A Features •HighSpeedSmoothSwitchingDeviceforHardandSoftSwitching •Vce(sat)withPositiveTemperatureCoefficient •HighRuggedness,GoodThermalStability •VeryTightParameterDistribution •HalogenFree.“Green”Device(Note1) •EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating •Lead	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MPBW50N65EH	文件：956.77 Kbytes Page：7 Pages	EasyparallelswitchingcapabilityduetopositivetemperaturecoefficientinVCEsat Features Easyparallelswitchingcapabilitydueto positivetemperaturecoefficientinVCEsat LowVCEsat，fastswitching Highruggedness,goodthermalstability Verytightparameterdistribution TrenchandFieldStopIGBT Applications UPS PFC	FS First Silicon Co., Ltd	FS
RLPGB50N65CT	文件：1.039869 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelIGBT APPLICATIONS Generalpurposeinverters UPS MotorControl FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, RoHSproduct	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

产品属性

产品编号：
BIDW50N65T
制造商：
Bourns Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，50A
开关能量：
3mJ（开）， 1.1mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
37ns/125ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

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