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BIDW50N65T数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

BIDW50N65T

参数属性

BIDW50N65T 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L

功能描述

IGBT管/模块

封装外壳

TO-247-3

制造商

Bourns Bourns Electronic Solutions

中文名称

伯恩斯

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:02:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BIDW50N65T

  • 生产厂家

    :Bourns

  • 集射极击穿电压(Vces)

    :650V

  • 集电极电流(Ic)

    :100A

  • 功率(Pd)

    :416W

  • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)

    :2.2V@15V

  • 开启延迟时间(Td(on))

    :37ns

  • 关断延迟时间(Td(off))

    :125ns

  • 导通损耗(Eon)

    :3mJ

  • 关断损耗(Eoff)

    :1.1mJ

  • 反向恢复时间(Trr)

    :37.5ns

  • 工作温度

    :-55℃~+150℃@(Tj)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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