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HGTG12N60A4D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTG12N60A4D规格书详情
描述 Description
HGTG12N60A4D 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。该器件适用于 UPS 和焊接机等快速开关应用。
特性 Features
•23A, 600V @ TC = 110°C
•低饱和电压：V CE(sat) = 2.0 V，需 I C = 12 A
•典型下降时间............TJ = 125°C时为70ns
•低传导损耗
应用 Application
• 不间断电源
简介
HGTG12N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG12N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTG12N60A4D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，12A
- 开关能量：
55µJ（开），50µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/96ns
- 测试条件：
390V，12A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 54A 167W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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