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HGTG20N60A4D中文资料600V,SMPS IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HGTG20N60A4D

功能描述

600V,SMPS IGBT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 13:10:00

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HGTG20N60A4D规格书详情

描述 Description

HGTG20N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49339。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。

特性 Features

•<390V,20A时的工作频率为100kHz
•390V,12A时的工作频率为200kHz
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为0.55ns
•低导通损耗
•温度补偿 SABER™ 模型

应用 Application

• 其他工业

技术参数

  • 型号:

    HGTG20N60A4D

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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