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HGTG20N60A4D规格书详情
描述 Description
HGTG20N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49339。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。
特性 Features
•<390V，20A时的工作频率为100kHz
•390V，12A时的工作频率为200kHz
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为0.55ns
•低导通损耗
•温度补偿 SABER™ 模型
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 型号：
HGTG20N60A4D
- 功能描述：
IGBT 晶体管 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2023+ |
5800 |
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询价 |
