HGTG18N120BND中文资料IGBT，1200V，NPT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

HGTG18N120BND 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。 该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

特性 Features

•26A, 1200V, TC = 110°C
•低饱和电压： VCE(sat) = 2.45V @ IC = 18A
•典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140ns @ TJ = 150°C
•短路额定值
•低导通损耗

应用 Application

• 不间断电源
• 其他工业

简介

HGTG18N120BND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG18N120BND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。