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HGTG18N120BND数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGTG18N120BND |
| 参数属性 | HGTG18N120BND 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
| 功能描述 | IGBT，1200V，NPT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找货 | HGTG18N120BND价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG18N120BND规格书详情
描述 Description
HGTG18N120BND 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。 该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。
特性 Features
•26A, 1200V, TC = 110°C
•低饱和电压： VCE(sat) = 2.45V @ IC = 18A
•典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140ns @ TJ = 150°C
•短路额定值
•低导通损耗
应用 Application
• 不间断电源
• 其他工业
简介
HGTG18N120BND属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG18N120BND晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：HGTG18N120BND
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：26
- VCE(sat) Typ (V)
：2.45
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：1.8
- Eon Typ (mJ)
：1.9
- Trr Typ (ns)
：44
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：165
- Short Circuit Withstand (µs)
：8
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：390
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
4488 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
TO-247-3 |
1 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
FAIRC |
23+ |
TO-247 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
9526 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
