HGTG20N60B3中文资料600V，PT IGBT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

HGTG20N60B3 是一款第三代 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如： 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。

特性 Features

•40A、600 V，TC=25°C
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间： 150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗

应用 Application

其他工业

简介

HGTG20N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG20N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。