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HGTG20N60B3数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTG20N60B3规格书详情
描述 Description
HGTG20N60B3 是一款第三代 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如： 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。
特性 Features
•40A、600 V，TC=25°C
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间： 150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗
应用 Application
其他工业
简介
HGTG20N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG20N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTG20N60B3
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
- 开关能量：
475µJ（开），1.05mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 40A 165W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
1224 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
41 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-3P |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
FSC |
20+ |
TO-247 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-247 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FSC |
2018+ |
TO-3P |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
48281 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 |
