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HGTG20N60B3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

HGTG20N60B3D

参数属性

HGTG20N60B3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 165W TO247

功能描述

600V,PT IGBT
IGBT 600V 40A 165W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:24:00

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HGTG20N60B3D规格书详情

描述 Description

HGTG20N60B3D 是一款第三代 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如: 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。

特性 Features

•40A、600 V,TC=25°C
•典型下降时间: 150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗
•超快反向并联二极管

应用 Application

• 其他工业

简介

HGTG20N60B3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG20N60B3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTG20N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    475µJ(开),1.05mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 165W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-247
3520
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
Fairchi
24+
TO-247
6000
进口原装正品假一赔十,货期7-10天
询价
FAIRCHILD
2025+
TO-3P
3635
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
ROHS环保
TO-3P
5685
原装正品,支持实单
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-247
18000
原装正品
询价
仙童
05+
TO-247
6000
原装进口
询价
FSC
23+24
TO-247
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
询价
Freescale(飞思卡尔)
24+
标准封装
15663
我们只是原厂的搬运工
询价
ON
22+23+
TO-247
8000
新到现货,只做原装进口
询价