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HGTG20N60B3D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
HGTG20N60B3D |
参数属性 | HGTG20N60B3D 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 165W TO247 |
功能描述 | 600V,PT IGBT |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 9:24:00 |
人工找货 | HGTG20N60B3D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTG20N60B3D规格书详情
描述 Description
HGTG20N60B3D 是一款第三代 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如: 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。
特性 Features
•40A、600 V,TC=25°C
•典型下降时间: 150°C 时为 140 ns
•短路额定值
•低导通损耗
•超快反向并联二极管
应用 Application
• 其他工业
简介
HGTG20N60B3D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG20N60B3D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTG20N60B3D
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,20A
- 开关能量:
475µJ(开),1.05mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 40A 165W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
3520 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
Fairchi |
24+ |
TO-247 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2025+ |
TO-3P |
3635 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
ROHS环保 |
TO-3P |
5685 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-247 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
仙童 |
05+ |
TO-247 |
6000 |
原装进口 |
询价 | ||
FSC |
23+24 |
TO-247 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
标准封装 |
15663 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
ON |
22+23+ |
TO-247 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 |