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HGTG20N60C3D	文件：300 bytes Page：1 Pages	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode; • 45A, 600V, TC= 25°C\n• 600V Switching SOA Capability\n• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ= 150°C\n• Short Circuit Rating\n• Low Conduction Loss\n• Hyperfast Anti-Parallel Diode; The HGTG20N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is development type TA49178. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060 (TA49063).	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
HGTG20N60C3D	文件：300 bytes Page：1 Pages	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode; • 45A, 600V, TC= 25°C\n• 600V Switching SOA Capability\n• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ= 150°C\n• Short Circuit Rating\n• Low Conduction Loss\n• Hyperfast Anti-Parallel Diode; The HGTG20N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is development type TA49178. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRP3060 (TA49063).	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HGTG20N60C3D	文件：123.08 Kbytes Page：8 Pages	丝印：G20N60C3D；Package：TO-247；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG20N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG20N60C3D	文件：82.71 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G20N60C3D；Package：TO-247；45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode TheHGTG20N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTG20N60C3D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A 164W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
HGTG20N60C3D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，20A
开关能量：
500µJ（开），500µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/151ns
测试条件：
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 45A 164W TO247

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