HGTG30N60B3中文资料IGBT，600V，PT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

HGTG30N60B3 结合最佳的 MOSFET 高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态导通损耗特性。 该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器和电源。

特性 Features

•30 A、600 V、TC= 110°C
•低饱和电压： VCE(sat)=1.45 V，需 IC=30 A
•典型下降时间。 . . . . . . . TJ=150°C 时为 90ns
•短路额定值
•低导通损耗

应用 Application

• 发电和配电

简介

HGTG30N60B3属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60B3晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。