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HGTG30N60A4D中文资料600V,SMPS IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

HGTG30N60A4D

参数属性

HGTG30N60A4D 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 75A 463W TO247

功能描述

600V,SMPS IGBT
IGBT 600V 75A 463W TO247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 13:44:00

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HGTG30N60A4D规格书详情

描述 Description

HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。

特性 Features

100 kHz 运行(390 V、30 A)
•200kHz运行(390V、18A)
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为60ns
•低导通损耗
•温度补偿式 SABER™模型

应用 Application

• AC-DC商用电源-服务器和工作站

简介

HGTG30N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HGTG30N60A4D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    280µJ(开),240µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/150ns

  • 测试条件:

    390V,30A,3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 463W TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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19+
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1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
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