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HGTG30N60A4D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
HGTG30N60A4D规格书详情
描述 Description
HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。
特性 Features
•
•200kHz运行（390V、18A）
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为60ns
•低导通损耗
•温度补偿式 SABER™模型
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
简介
HGTG30N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
HGTG30N60A4D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，30A
- 开关能量：
280µJ（开），240µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
- 测试条件：
390V，30A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A 463W TO247
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