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HGTG30N60A4D规格书详情
描述 Description
HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。
特性 Features
•
•200kHz运行(390V、18A)
•600 V 开关 SOA 能力
•典型下降时间。 . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为60ns
•低导通损耗
•温度补偿式 SABER™模型
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
简介
HGTG30N60A4D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的HGTG30N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
HGTG30N60A4D
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,30A
- 开关能量:
280µJ(开),240µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/150ns
- 测试条件:
390V,30A,3 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 600V 75A 463W TO247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-247-3 |
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ON/安森美 |
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