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HGTG30N60A4D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HGTG30N60A4D |
| 参数属性 | HGTG30N60A4D 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 75A 463W TO247 |
| 功能描述 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 原厂标识 | Renesas |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号：
HGTG30N60A4D
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，30A
- 开关能量：
280µJ（开），240µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
- 测试条件：
390V，30A，3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 75A 463W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247 |
928 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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