HGTG30N60A4D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	0.123456

厂家型号：
HGTG30N60A4D
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
32360
产品封装：
TO-247
生产批号：
25+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-8-2 14:13:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：HGTG30N60A4D品牌：ON/安森美

ON/安森美全新特价HGTG30N60A4D即刻询购立享优惠#长期有货

HGTG30N60A4D是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/安森美/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的HGTG30N60A4D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
HGTG30N60A4D
规格书：
下载下载2
企业简称：
INTERSIL详情
厂商全称：
Intersil Corporation
内容页数：
9 页
文件大小：
100.45 kb
资料说明：
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

产品属性

类型
描述
产品编号：
HGTG30N60A4D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，30A
开关能量：
280µJ（开），240µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
测试条件：
390V，30A，3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 75A 463W TO247

供应商

企业：
中天科工半导体（深圳）有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
李先生
手机：
13128990370
询价：
电话：
13128990370/微信同号
传真：
原装正品
地址：
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B

HGTG30N60A4D 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

HGTG30N60A4D

产品属性

供应商

相关型号

相近型号