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HGTG30N60B3D	文件：214.44 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT 60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT withAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N60B3D	文件：228.05 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N60B3D	文件：109.09 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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IXXQ30N60B3M	文件：194.87 Kbytes Page：6 Pages	AdvanceTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
HGTG30N60B3D_Q
功能描述：
IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多HGTG30N60B3D_Q供应商更新时间2025-5-25 13:01:00

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