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HGTD3N60C3	文件：227.93 Kbytes Page：9 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Description TheHGTD3N60C3andHGTD3N60C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
HGTD3N60C3S	文件：227.93 Kbytes Page：9 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs Description TheHGTD3N60C3andHGTD3N60C3SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
HGTD3N60C3S	文件：243.35 Kbytes Page：6 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs TheHGTD3N60C3SandtheHGTP3N60C3areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedrop	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HGTD3N60C3S	文件：265.06 Kbytes Page：7 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs TheHGTD3N60C3SandtheHGTP3N60C3areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedrop	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTD3N60C3S9A	文件：265.06 Kbytes Page：7 Pages	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs TheHGTD3N60C3SandtheHGTP3N60C3areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedrop	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTD3N60C3S9A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
HGTD3N60C3
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

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